Nanometrikokoluokan ohutkalvomateriaalien monet sovelluskohteet

3.9.2019/Text: Jenna Penttinen

Ohutkalvon paksuus määritetään alhaisen tulokulman röntgendiffraktiolla. Näitä mittauksia teemme päivittäin.

Olemme keskittyneet laajasti uudenlaisiin ohutkalvorakenteisiin epäorgaanisen kemian tutkimusryhmässämme. Oman väitöskirjani aihe on huokoiset ja kiteiset metalli-orgaanisen runkorakenteen (metal-organic framework, MOF) ohutkalvot, jotka koostuvat epäorgaanisista metallikeskuksista ja orgaanisista ligandeista muodostaen kolmiulotteisen verkoston. Keskityn kaikista elektropositiivisimpiin alkuaineisiin, kuten litiumiin, natriumiin ja magnesiumiin, koska ne muodostavat ionisidoksen orgaanisen molekyylin hapen kanssa. Ionisidoksien ansiosta rakenne on taipuisa muuttamaan kiderakennettaan ja hydrolysoituu helpommin, jolloin MOF-materiaaleja voidaan hyödyntää antureissa ja kaasuabsorptiossa. Atomi- ja molekyylikerroskasvatusmenetelmä (atomic and molecular layer deposition, ALD/MLD) mahdollistaa huokoisten ja kiteisten ohutkalvojen kasvatuksen nanometrien tarkkuudella.

Kuva. ALD/MLD-menetelmä perustuu kaasufaasissa tapahtuviin saturoituviin pintareaktioihin. 1) Epäorgaaninen lähtöaine reagoi pinnan kanssa. 2) Orgaaninen lähtöaine reagoi pinnan kanssa. 3) Kalvon paksuutta kontrolloidaan toistamalla vaiheet 1 ja 2 tarvittava määrä.

ALD-reaktorissa 8 tunnin työpäivän aikana ehtii kasvaa 100 nm paksuinen kalvo. Tänä aikana hiuksesi ja kyntesi ovat kasvaneet kymmeniä kertoja enemmän pituutta.

ALD/MLD-menetelmällä kasvatetuilla ohutkalvoilla on laajat käyttömahdollisuudet tulevaisuuden sovelluksissa. Meidän ryhmässämme olemme tutkineet esimerkiksi elektrodimateriaaleja mikroakkuihin; luminesoivia kalvoja; ohutkalvorakenteita, jotka reagoivat ulkoiseen ärsykkeeseen, kuten UV-valoon; sekä termosähköisiä ohutkalvoja, jotka johtavat hyvin lämpöä ja huonosti sähköä.

ALD-menetelmällä kasvatetut ohutkalvot sopivat sovelluskohteisiin, joiden vaatimuksena on erittäin tasainen ja laadukas ohutkalvo kolmiulotteisilla pinnoillakin. ALD-menetelmä on hidas, mutta etuna on ohutkalvon paksuuden tarkka kontrollointi nanometrin tarkkuudella. Hidas ohutkalvojen kasvatusmenetelmä soveltuu elektroniikkateollisuuden tarpeisiin. Lisäksi, ALD/MLD-menetelmällä pystytään kasvattamaan ohutkalvorakenteita, joita ei muilla menetelmillä pystytä valmistamaan ilman liuotinmolekyylejä.

ALD/MLD-hybridikalvojen julkaisutahti kasvaa joka vuosi ja on innostavaa olla mukana osana tätä alati kasvavaa alaa. Jatko-opiskelijana epäorgaanisen kemian ryhmässä olen saanut työskennellä monikulttuurisessa työympäristössä, jossa tutkijoita on kahdeksasta eri maasta, ja olen lisäksi päässyt esittämään tutkimustuloksiamme lukuisille konferenssimatkoille ympäri maailmaa.

Ohutkalvon paksuus määritetään alhaisen tulokulman röntgendiffraktiolla. Näitä mittauksia teemme päivittäin.

 

 

 

 

 

Penttinen, M. Nisula, and M. Karppinen, “Atomic/Molecular Layer Deposition of s-Block Metal Carboxylate Coordination Network Thin Films,” Chem. - A Eur. J., vol. 23, no. 72, pp. 18225–18231, Dec. 2017.

https://doi.org/10.1002/chem.201703704

Jenna Penttinen työskentelee Aalto-yliopiston kemian tekniikan korkeakoulussa tohtorikoulutettavana. Hän sai Tekniikan edistämissäätiöltä kannustusapurahan jatko-opintoihinsa Aalto-yliopistossa vuonna 2018.

 

Uusimmat artikkelit

Nanometrikokoluokan ohutkalvomateriaalien monet sovelluskohteet

Kirjoittajalta Tekniikan edistämissäätiö / 3.9.2019

Nanometrikokoluokan ohutkalvomateriaalien monet sovelluskohteet 3.9.2019/Text: Jenna Penttinen Olemme keskittyneet laajasti uudenlaisiin ohutkalvorakenteisiin epäorgaanisen kemian tutkimusryhmässämme. Oman väitöskirjani aihe on huokoiset ja kiteiset metalli-orgaanisen runkorakenteen (metal-organic framework, MOF) ohutkalvot, jotka koostuvat epäorgaanisista metallikeskuksista ja orgaanisista ligandeista muodostaen kolmiulotteisen verkoston. Keskityn kaikista elektropositiivisimpiin alkuaineisiin, kuten litiumiin, natriumiin ja magnesiumiin, koska ne muodostavat ionisidoksen orgaanisen molekyylin hapen kanssa. … Jatka artikkeliin Nanometrikokoluokan ohutkalvomateriaalien monet sovelluskohteet

What will the Future Wireless Networks be?

Kirjoittajalta Tekniikan edistämissäätiö / 26.8.2019

What will the Future Wireless Networks be? 26.8.2019/Text: Kien Vu The deployment of the fifth generation (5G) networks is going to change our lives and transform our businesses. The unprecedented growth of data traffic driven mainly by a massive number of wireless connected devices (mobile phones, laptops, sensing devices) and rich content applications (video and … Jatka artikkeliin What will the Future Wireless Networks be?

Post doc -poolilaisen kokemus: ”Apurahalla on ollut merkittävä vaikutus uran myönteiseen kehittymiseen”

Kirjoittajalta Tekniikan edistämissäätiö / 21.8.2019

”Post doc -poolin apurahalla on ollut merkittävä vaikutus uran myönteiseen kehittymiseen” 21.8.2019 Sain Tekniikan edistämissäätiön apurahan Post doc -poolin syyshaussa vuonna 2017 tutkimusaiheelleni “Digital DNA sensing system for automatic detection of infectious diseases”.  Suoritin Post doc -tutkimusvuoteni Lontoossa Imperial College London -yliopistossa. Tutkimuskauden aikana pääsin tutustumaan useampaan uuteen tutkimusryhmään, jotka tekevät kunnianhimoista ja poikkitieteellistä tutkimusta … Jatka artikkeliin Post doc -poolilaisen kokemus: ”Apurahalla on ollut merkittävä vaikutus uran myönteiseen kehittymiseen”